—— 从纳米材料合成到工业级表面处理的颠覆性技术
TP 系列高频感应等离子体发生器 是日本电子株式会社(JEOL)推出的新一代无电极等离子体设备,基于 电磁感应加热原理,在常压或近常压环境下产生高达 10,000℃的热等离子体,通过物理 / 化学反应实现材料的蒸发、熔融、分解及合成。其核心技术突破体现在以下方面:
技术参数 | 数值或特性 | 行业对比 |
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功率范围 | 6kW、35kW、100kW、200kW(可选 300kW 定制机型) | 同类产品平均功率 < 150kW |
等离子体温度 | 10,000℃(中心区域) | 直流电弧放电温度通常 < 8,000℃ |
气体兼容性 | 支持 Ar、H₂、O₂、N₂、CF₄等氧化性 / 还原性气体 | 传统设备仅支持惰性气体 |
颗粒尺寸控制 | 纳米级(5-100nm)至微米级(1-10μm) | 机械粉碎法难以实现 < 1μm 颗粒 |
沉积速率 | 1-100μm/min(镀膜场景) | 磁控溅射速率 < 5μm/min |
系统稳定性 | 连续运行时间 > 100 小时(陶瓷内管 + 双冷却结构) | 石英管设备寿命 < 50 小时 |
核心创新点:
材料类型 | 典型应用 | TP 系列技术优势 | 实测数据 |
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金属纳米颗粒 | 锂电池负极(硅基材料) | 氢等离子体还原法一步合成球形硅粉(纯度 > 99.9%) | 粒径分布 50-100nm,振实密度 1.2g/cm³ |
陶瓷粉体 | 3D 打印金属陶瓷粉末 | 等离子体球化技术处理不规则粉体(如钨粉),球形度 > 98%,流动性提升 3 倍 | 松装密度 2.5g/cm³,激光粒度分布 D90<20μm |
复合氧化物薄膜 | 铁电材料(PZT) | 射频辅助沉积(RF power 500W)实现外延生长,介电常数偏差 < 3% | 薄膜厚度均匀性 ±2%,漏电流密度 < 1×10⁻⁷A/cm² |
案例:纳米金刚石制备
工艺类型 | 目标性能 | 技术配置 | 实测数据 |
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超硬涂层 | 硬度 > 3000HV | 高频等离子体喷涂(HVOF)+ WC-Co 原料,结合强度 > 80MPa | 涂层孔隙率 < 1%,耐磨寿命较传统工艺提升 5 倍 |
催化载体 | 比表面积 > 200m²/g | 等离子体刻蚀 + Al₂O₃粉末,孔结构可控(介孔 / 大孔比例可调) | 活性组分负载量 > 15%,催化效率提升 30% |
有害气体分解 | 二噁英去除率 > 99% | 等离子体裂解(功率 200kW)+ 活性炭吸附,处理量 500m³/h | 尾气毒性降低至安全阈值以下,运行成本 < 0.5 元 /m³ |
案例:汽车尾气净化催化剂再生
工艺环节 | 材料需求 | TP 系列技术优势 | 典型参数 |
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TSV 通孔填充 | W、Cu | 等离子体增强化学气相沉积(PECVD),高深宽比(10:1)填充率 > 99% | 通孔电阻波动 <5%,热循环可靠性> 1000 次(-40℃~125℃) |
AR/VR 增透膜 | MgF₂、SiO₂ | 射频磁控溅射 + 等离子体辅助沉积,可见光波段平均透过率 > 99.5% | 膜厚均匀性 ±1.5%,表面粗糙度 < 0.5nm |
OLED 封装 | Al₂O₃ | 等离子体原子层沉积(PE-ALD),厚度控制精度 ±0.1nm | 水汽透过率 < 1×10⁻⁶g/m²/day,寿命延长至 50,000 小时 |
案例:5G 射频芯片散热涂层
参数 | TP 系列高频感应 | 直流电弧放电 | 射频辉光放电 |
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电极污染 | 无 | 存在(阴极材料蒸发) | 存在(阳极溅射) |
温度均匀性 | ±5%(中心区域) | ±15% | ±10% |
气体兼容性 | 全兼容(氧化性 / 腐蚀性) | 仅限惰性气体 | 仅限低腐蚀性气体 |
颗粒分散性 | 单分散(PDI<0.1) | 多分散(PDI>0.3) | 多分散(PDI>0.2) |
参数 | TP 系列(JEOL) | PVA TePla PlasmaPro | ULVAC PlasmaOne |
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最大输出功率 | 300kW(可选) | 150kW | 200kW |
纳米颗粒产率 | 35%(硅粉) | 20% | 25% |
镀膜均匀性 | ±1.5%(4 英寸基底) | ±3% | ±2.5% |
维护周期 | 100 小时(陶瓷内管) | 50 小时(石英管) | 60 小时(石英管) |
行业趋势:
未来升级方向:
结论:TP 系列高频感应等离子体发生器凭借无电极污染、高能量密度、全气体兼容等特性,已成为纳米材料合成、工业表面处理、半导体制造等领域的颠覆性技术。其技术参数领先行业,结合 JEOL 的全球服务网络,为客户提供从工艺开发到量产的全周期支持
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