—— 从半导体晶圆到精密光学元件的全场景薄膜制备方案
BS-60610BDS 的核心优势源于其 三级能量转换与精准控制架构:
工艺环节 | 材料需求 | BS-60610BDS 技术优势 | 典型参数 |
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栅极介质层 | Al₂O₃、HfO₂ | 低损伤沉积(背散射电子能量 < 50eV),抑制界面态生成 | 膜厚均匀性 ±2%,介电常数偏差 < 3% |
金属互连层 | Al-Cu 合金、纯 Cu | 大尺寸衬管(9cc 铝容量)支持连续生产,避免频繁换料 | 沉积速率 200nm/s,电迁移寿命 > 1000 小时(85℃/10⁵A/cm²) |
TSV 通孔填充 | W、Cu | 磁场约束技术减少飞溅,确保高深宽比(10:1)通孔底部无空洞 | 填充率 > 99%,通孔电阻波动 < 5% |
先进封装薄膜 | NiAu、SnAg | 可选 LN 衬管防止金属氧化,适配低温沉积(基底温度 < 100℃) | 焊点结合力 > 40MPa,热循环(-40℃~125℃)500 次无开裂 |
案例:AR 眼镜曲面棱镜增透膜制备
航空航天级反射镜应用
涂层类型 | 目标性能 | 技术配置 | 实测数据 |
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TiAlN 超硬涂层 | 硬度 > 3000HV | 高功率模式(4.8kW)+ 射频偏压(-100V),增强离子轰击能量 | 显微硬度 3200HV,摩擦系数 0.25(vs 传统工艺 0.35) |
DLC 类金刚石涂层 | 表面粗糙度 < 10nm | 低电子束功率(2kW)+ 碳靶材专用衬管(孔径优化设计) | Ra=8nm,抗划伤载荷 > 50N(传统工艺 30N) |
自润滑涂层(WS₂) | 摩擦寿命 > 10⁵次 | 梯度沉积工艺(底层 W + 表层 WS₂),衬管温度控制(300±10℃) | 摩擦系数 0.15,寿命较单一涂层提升 3 倍 |
评估维度 | BS-60610BDS | Kurt J Lesker EB-PVD75 | ULVAC EB-500 | 蒸发源技术代差 |
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电子束能量分布 | 高斯分布(σ<5%) | 双峰分布(σ<15%) | 平顶分布(σ<10%) | 能量均匀性决定薄膜厚度一致性 |
基底温升控制 | <50℃ | 80-120℃ | 60-100℃ | 低温升适配热敏材料(如光刻胶、OLED) |
多源同步精度 | ±1% | ±3% | ±2.5% | 多层膜界面粗糙度 <5nm(vs 竞品> 15nm) |
耗材成本(元 / 小时) | 800 | 1200 | 1000 | 衬管容量提升降低换料频率与材料浪费 |
JEOL 正在开发的 BS-60610BDS Pro 版本 将引入以下创新:
BS-60610BDS 轰击沉积源不仅是一台设备,更是连接材料科学与制造工程的桥梁。从 3nm 半导体晶圆的精密互连到 AR 眼镜曲面棱镜的纳米级增透膜,其技术创新持续突破薄膜制备的边界。随着 AI 与数字孪生技术的融入,JEOL 正引领行业从 “经验驱动” 转向 “数据驱动”,为高端制造领域提供更智能、更高效、更可靠的薄膜沉积解决方案。
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