JEOL JBX-A9 系列电子束光刻系统重新定义纳米制造
技术参数 | 传统电子束光刻 | JBX-A9 系列 |
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加速电压 | 50-80 kV | 100 kV |
最小线宽 | 15 nm | ≤8 nm(100 kV 模式) |
套刻精度 | ±15 nm | ±9 nm(动态像差校正) |
扫描速度 | 50 MHz | 200 MHz |
技术优势:
功能模块 | 传统方案 | JBX-A9 系列 |
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自动对准 | 手动校准 | 激光预对准 + 电子束精对准(精度 ±1 nm) |
缺陷检测 | 离线检测 | 原位 SEM 实时监控(分辨率 1 nm) |
工艺集成 | 单机操作 | FOUP 自动装载 + 在线涂胶 / 显影(兼容 SECS/GEM 协议) |
技术亮点:
应用领域 | 技术挑战 | JBX-A9 解决方案 |
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先进封装 | Chiplet 互连密度 > 10^6/cm²,线宽 < 20 nm | 多场拼接技术(1000 μm×1000 μm 场),支持 TSV、RDL 等高密度结构 |
量子器件 | 量子比特间距 < 50 nm,边缘粗糙度 < 1 nm | 高分辨率高斯束模式,结合原位 SEM 校准 |
光子芯片 | 波导宽度<100>10:1 | 电子束诱导沉积(EBID)+ 直写一体化,支持硅基光电子集成 |
MEMS 传感器 | 复杂三维结构(如悬臂梁、微镜阵列) | 动态聚焦 + 多层曝光,实现垂直侧壁和高深宽比(>20:1) |
应用场景 | 传统方案局限 | JBX-A9 优势 |
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3nm 以下逻辑芯片 | EUV 光刻成本高,缺陷率 > 0.1 / 平方厘米 | 直接写入金属互连层,减少掩模版依赖,缺陷率 < 0.01 / 平方厘米 |
3D NAND 闪存 | 多层堆叠对准误差 > 10 nm,影响存储密度 | 层间套刻精度 ±9 nm,支持 128 层以上堆叠 |
功率器件 | 沟槽结构深宽比 < 5:1,影响击穿电压 | 电子束刻蚀 + 直写,深宽比 > 20:1,提升器件可靠性 |
应用场景 | 传统方案局限 | JBX-A9 优势 |
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二维材料器件 | 石墨烯刻蚀边缘粗糙度 > 5 nm,影响迁移率 | 低电压(5 kV)模式,减少材料损伤,边缘粗糙度 < 1 nm |
超表面光学元件 | 亚波长结构(<100 nm)加工效率低 | 200 MHz 扫描速度,支持大面积(10 cm²)均匀加工 |
拓扑量子比特 | 约瑟夫森结尺寸 < 20 nm,工艺一致性差 | 电子束直写 + 原位检测,尺寸控制精度 ±1 nm |
参数 | ASML NXE:3400B(EUV) | Raith150-Two | JBX-A9 系列 |
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分辨率 | 8 nm | 20 nm | ≤8 nm |
套刻精度 | ±1.5 nm | ±35 nm | ±9 nm |
吞吐量(300mm 晶圆) | 160 片 / 小时 | 0.5 片 / 小时 | 4 片 / 小时 |
适用场景 | 大规模逻辑芯片生产 | 实验室研究 | 工业级量产 + 学术研究 |
技术优势:
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