—— 从芯片级精密调控到地球深部模拟的全维度解决方案
在半导体封装、新能源电池、地质勘探等领域,材料的热膨胀行为往往伴随着高压环境 —— 这让传统热膨胀仪捉襟见肘:
L75/High Pressure 的破局之道:通过 150 bar 高压兼容、-180℃~1800℃宽温域覆盖 及 多物理场集成设计,让高压热分析从 “模糊测量” 走向 “精准解析”。
挑战场景 | L75 技术方案 | 量化成果(对比传统设备) |
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芯片封装热膨胀失配 | 100 bar 高压下测量 EMC 材料 CTE(升温速率 10℃/min) | 层间应力降低 40%,热循环寿命(-40℃~125℃)从 500 次→1500 次 |
量子点发光材料尺寸控制 | 50 bar 高压退火(300℃,2 小时)+ 原位荧光光谱联动 | 量子点半峰宽(FWHM)从 40 nm→25 nm,荧光量子产率↑30% |
SiC 功率器件高温可靠性 | 1500℃、100 bar 蠕变测试(载荷 50 MPa) | 1000 小时形变量从 0.3%→0.1%,蠕变速率↓50% |
新增案例:5G 滤波器介质陶瓷 | 80 bar 氮气气氛下测量介电常数与 CTE 关联性 | 发现 100℃时 CTE 突变点(2.8 ppm/℃→4.5 ppm/℃)对应介电损耗上升 30%,指导烧结工艺参数调整 |
技术维度 | L75/High Pressure | TA Instruments HPA-2 | Netzsch DIL 402 Expedis | 优势差值 |
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压力范围 | 0-150 bar(可定制 300 bar) | 0-100 bar | 0-100 bar | +50% |
温度均匀性(1000℃) | ±1℃ | ±3℃ | ±2℃ | +66%/+50% |
腐蚀性气体兼容性 | 全兼容(如 HCl、SO₂) | 仅支持干燥惰性气体 | 仅支持 N₂/Ar | 唯一全兼容 |
多场耦合通道数 | 3(热 - 力 - 化学) | 2(热 - 力) | 1(单一热膨胀) | +200% |
数据采集频率 | 100 Hz | 10 Hz | 20 Hz | +900% |
L75/High Pressure 不仅是一台仪器,更是打开材料性能 “黑箱” 的钥匙。当高压环境下的热膨胀数据与化学变化、力学响应实现精准联动,从 3nm 芯片的封装可靠性到地球深部资源的安全开发,所有依赖材料性能的领域都将获得全新的创新驱动力。
在半导体遭遇 “摩尔定律” 瓶颈、新能源呼唤材料革命、地球深部开发亟待突破的今天,L75 正在重新定义 “材料性能测试” 的边界 —— 它不仅是数据的采集者,更是创新的赋能者。
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