IB-19540CP 与 IB-19550CCP 是日本电子株式会社(JEOL)于 2024 年 9 月推出的新一代氩离子截面抛光仪,专为电子显微镜(SEM、TEM)样品制备设计。两者均采用离子束铣削技术,通过高能氩离子束对样品表面进行纳米级抛光,去除机械研磨或切割产生的损伤层,为后续微观结构分析提供平整、无应力的观测表面。
核心差异:
技术维度 | IB-19540CP | IB-19550CCP | 竞品对比 |
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分辨率 | 表面粗糙度 < 1nm | 表面粗糙度 < 1nm | 传统机械抛光粗糙度 > 10nm |
冷却能力 | 室温 | -196℃液氮制冷 | 竞品冷却系统最低 - 80℃,稳定性差 |
自动化程度 | 全自动光阑 / 灯丝校准 | 全自动冷却 / 解冻流程 | 竞品需手动调节参数,耗时 30 分钟 |
处理效率 | 1200 μm/h 铣削速率 | 1000 μm/h 铣削速率 | 竞品铣削速率 < 500 μm/h |
样品兼容性 | 金属、陶瓷、半导体 | 生物组织、高分子、易热材料 | 竞品无法处理冷冻或敏感材料 |
IB-19540CP 与 IB-19550CCP 虽同属氩离子截面抛光平台,但其技术架构与应用场景存在显著差异,以下从六大维度深度对比,助您精准选型:
技术指标 | IB-19540CP(常规型) | IB-19550CCP(冷冻型) | 技术优势解析 |
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离子源类型 | 双等离子体离子源 | 双等离子体离子源(含低温屏蔽) | 均采用 JEOL 专利设计(专利号:JP 2024-037892),离子束稳定性提升 30% |
加速电压范围 | 1-10kV | 1-10kV | 低电压(1-2kV)精抛实现 1nm 级表面粗糙度,满足 TEM 超薄切片需求 |
离子电流密度 | 1200 μA/cm²(粗抛) | 1000 μA/cm²(粗抛) | IB-19540CP 通过优化电极间距,粗抛效率提升 20%,适合金属 / 陶瓷快速制样 |
JEOL 截面抛光仪严格遵循国际标准,满足半导体、生物医学、材料研发等领域的严苛要求,以下为核心合规性解析:
IB-19540CP 与 IB-19550CCP 不仅是样品制备设备,更是连接宏观材料与微观世界的桥梁。它们以纳米级的抛光精度、智能的自动化流程、严苛的合规性设计,确保每一次观测都基于真实无伪的样品表面。选择 JEOL 截面抛光仪,就是选择为科研数据与工业质量筑牢基石 —— 让制样不再是 “瓶颈”,而成为突破认知边界的起点。
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