霍尔效应测量系统L79/HCS

L79/HCS系统可用于半导体组件性能表征，包括:迁移率，电阻率，载流子浓度和霍尔常数。

基本型提供不同形状和温度条件下所需的样品支架。选配低温（液氮）附件结合高温炉（温度可达800°C）可确保涵盖所有应用领域。永磁体和电磁铁可提供高达几特斯拉强度的固定或者可变磁场。

样品支架位于密封的真空测量室，测量室设有进出气体口，可在受控及可变的气氛下进行测量。不同的样品支架可用于从LN2至800℃进行测量。

可选的实际磁场强度可以在高达150℃的温度下测量。测量过程中，在滑轨上的两个磁路可以移动组装，可将磁通量从正变为零甚至为负，因此样品无需移动。

• 电阻率和电导率

• 霍尔常数和迁移率

• 载流子浓度

• 高温霍尔测量

• 易于操作

• 集成装置

附件：

• 多种传感器可用于不同的：

• 样品量

• 温度范围

• 可选永磁铁或电磁铁。

• 淬火冷却附加装置，可在80K下进行测量。

• 控制液氮冷却的KREG和Dewar。

• 用于自动化测量的电动线性平台。

• 规定大气的气体进出口。